磁阻效应综合实验仪

FMD3099型磁阻效应综合实验仪产品介绍：

本仪器采用两种材料的传感器：砷化镓（GaAS）霍尔传感器和锑化铟（InSb）传感器，可研究半导体的霍尔效应和磁阻效应两种物理实验规律。仪器具有研究性和设计性两大特点，可用于理工科大学的基础性物理实验和设计性综合物理实验，也可用于演示实验。

FMD3099型磁阻效应实验仪包括直流双路恒流电源、直流数字电压表、电磁铁、数字式毫特仪（GaAs作探测器）、锑化铟（InSb）磁阻传感器等组成。

FMD3099型磁阻效应综合实验仪实验项目：

1.了解磁阻传感器的工作原理；

2.观察磁阻元件的倍频效应；

3.研究磁阻传感器电阻与磁感强度的曲线；

4.测量电磁铁气隙处X方向磁场强度的分布。

FMD3099型指标：

电压表量程：0~1999.9mV；分辨率：0.1mV，四位半数字显示；

数字毫特仪：测量范围0~1000mT；分辨率0.1mT，四位半数字显示

励磁恒流源：0~1.0A连续可调；分辨率1mA，三位半数字显示；

交流励磁电压：VP-P≥12V；频率≤10HZ；

恒流输出电流：0~3mA连续可调，供锑化铟传感器工作的电流；

移动尺装置：横向移动距离0~40mm；

电磁铁缝隙：约5mm；

仪器采用多圈电位器；

励磁电流采用六脚船型换向开关；