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半导体热电特性实验装置的改进方案
  • 发布日期:2017-12-25      浏览次数:1519
    • 实验项目:
      1.研究半导体热敏电阻的温度特性;
      2.测量PN 结正向压降随温度变化的基本关系;
      3.了解半导体制冷片的工作原理;
      4.测量半导体制冷片的制冷系数。
      半导体热电特性综合实验仪 型号:FMD3040
      指标:
      1.半导体制冷片:两片40×40,制冷片串联;
      单片额定电压:12V;
      额定电流:;
      普通高温型:≦100℃;
      2.PID 温度控制仪:
      测温范围:-15~100℃,
      测温精度:±0.1℃,三位半数显;
      加热范围:室温~100℃;
      制冷范围:-10℃~15℃;
      3. 制冷制热电源:电压0~20V,连续可调;输出电流:4A;
      电流范围:0~20.00A,测量精度:10mA;
      电压范围:0~20.000V,测量精度:1mV;
      恒流源:0~1000uA 连续可调;
      7. 配PN 结、配半导体热敏电阻;

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