电子逸出功实验仪用于测量金属材料电子逸出功e（或逸出电位）的物理实验仪器，还可用于研究二极管的伏安特性以及测量电子荷质比。
实验目的：
1.了解热电子发射的基本规律；
2.用理查孙直线法测定金属钨电子的逸出功 （逸出电位）；
3.研究二极管的伏安特性；
4.用磁控条件测量电子荷质比；
5.学习避开某些不易测常数而直接得到结果的方法。
规格参数
数据采集：三位半数字表分别显示灯丝电流、阳极电压、阳极电流、磁控电流
理想二极管：纯钨丝
灯丝电流：DC 0~0.750A，连续可调；精度1mA，三位半数字显示
阳极电压：DC 0~199.9V，连续可调；精度0.1V，三位半数字显示
阳极电流：0~1999uA，精度1uA，三位半数字显示
磁控电流：DC 0~0.800A，连续可调，精度1mA，三位半数字显示
主机尺寸：约330mm×300mm×145mm
仪器组成：
金属电子逸出功测定仪主机............................1台
金属电子逸出功测试台（含理想二极管）.......1台
理想二极管磁控线圈.......................................1只
实验连接线......................................................8根
使用说明书......................................................1份
产品合格证......................................................1只
电源线.............................................................1根

金属电子逸出功测定仪