• 电压测量范围：0-1.999V, 0-19.99V, 三位半数显
• 电流测量范围：0-1.999mA, 0-19.99A, 三位半数显
• 光强测量范围：0-1900LUX
• 负载电阻：0-9999Ω
• 实验项目：

  1.了解硅光电池的基本结构及基本原理；

  2.研究硅光电池伏安特性、硅光电池短路电流与开路电压、相对强度的关系。

  规格参数：

  硅光电池.

  半导体光源，暗箱

  电压测量范围：0-1.999V, 0-19.99V, 三位半数显

  电流测量范围：0-1.999mA, 0-19.99A, 三位半数显

  光强测量范围：0-1900LUX

  负载电阻：0-9999Ω

• 硅光电池基本特性实验仪

反射镜
镜面直径＞Φ25mm，
镜面反射率＞90%
动镜移动距离：100mm
动镜读数系统
动镜范围：100mm，
分度值：0.0001mm
粗    读：0.01mm，
细    读：0.001mm