导电微晶法静电场描绘仪是由导电微晶、单层固定支架、导电微晶电极等组成；电极已制作在导电微晶上，并将电极引线接出到外接线柱上，电极间制作有导电率，小于电极且向均匀的导电介质。接通直流电源可以进行实验，位置可直读。
实验目的：
1.模拟法测绘静电场；
2.采用导电微晶法，电阻微晶结构，位置可直读；
规格参数：
单层结构：减小双层结构不同轴带来的误差；
描绘平台：约200*200*4mm，电极可更换；
镀金弹性探头，接触电阻小，接触稳；
电极数量；2个，同轴电缆、长平行导线（可选配3个：点与平板、平行板、聚焦）；
电阻微晶：约125*125*0.2mm均匀、耐磨；
电极规格：约200*150*3mm（不容易破损，减少玻璃易破的确点）；
电压输出：DC 0-12V数显，连续可调；
精度范围：0.01V，短路保护功能；
直流电压测量：0-19.99V；
电压测量精度：0.01V；
等势线位置横坐标与纵坐标数字显示；精度：0.01mm；
配电阻微晶镀金电极板：同轴电缆、长平行导线，电极板可更换。
模拟静电场描绘仪（导电微晶法位置直读式）
